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If the critical reverse breakdown voltage is exceeded, a destructive breakdown occurs.
如果超过临界反向击穿电压, 就会发生破坏性的击穿.
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Semiconductor junctions a reverse breakdown voltage at which a reverse - biased junction begins to conduct.
当反向偏 置 形成时,半导体的连接点会有反向击穿电压.
反向击穿电压???
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